Service manuals
Kierownictwo w realnym półprzewodniku niesamodzielnym zależy od stosunku koncentracji dziur w paśmie akceptorowym i elektronów w paśmie donorowym w service manuals. Półprzewodnik skompensowany demonstruje zwykle wielką rezystywność. Wielka rezystywność nie oznacza, więc, że badany półprzewodnik jest samodzielny, albowiem jej przyczyną może być wyrównanie nośników ładunku. Pod oddziaływaniem pola elektrycznego wzbudzonego do półprzewodnika, swobodne nośniki ładunku wprowadzają ruch w kierunku pola. Prostota tego ruchu określa się jako ruchliwość nośników ładunku. Funkcję ruchliwości nośników ładunku od temperatury jest bardzo skomplikowana. Ledwie w nieznacznym obszarze temperatury można przyjąć, że jest ona w zbliżeniu proporcjonalna.
W przewodniku niesamoistnym mogą i przeważnie następują równocześnie oba typu domieszek, donorowe i akceptorowe. Swobodne elektrony atomów domieszki donorowej są zawiązywane przez dziury produkowane przez atomy domieszki akceptorowej. Gdyby liczby atomów donorowych i akceptorowych w półprzewodniku są choćby w zbliżeniu sobie regularne, półprzewodnik ten nie ma niezależnych nośników ładunku i jego kierownictwo jest niewielkie, przybliżone do przewodnictwa samoistnego, półprzewodnik taki zwiemy skompensowanym w service manuals. Jeśli zaś istnieje pewien zbytek elektronów lub dziur, przepływ ładunków przez półprzewodnik jest akceptowalny i mamy do czynienia z tak zwanym półprzewodnikiem nadmiarowym.
W temperaturze zera absolutnego półprzewodniki są izolatorami, pasmo fundamentalne jest gruntownie wypełnione, pasmo przewodnictwa jest absolutnie puste. W temperaturach większych noże nadejść częściowe zapełnienie elektronami pasma kierownictwa, a w paśmie fundamentalnym powstaje dopasowana liczba dziur w service manuals. Rezystywność półprzewodników dowodzi charakterystyczną zależność od temperatury. Wynika ona z różnej zależności gęstości i mobilności obu gatunków ładunku od temperatury. Ruchliwość nośników ładunku modyfikuje się z temperaturą nieznacznie w porównaniu z zależnością ich skupienia od temperatury.
Stąd też zależność rezystywności od temperatury jest przybliżona do zależności temperaturowej koncentracji nośników ładunku. W powszechnym przypadku można wyłonić trzy obszary charakterystyczne funkcji konduktywności półprzewodnika od temperatury. Konduktywność półprzewodnika, którego temperatura wznosi się od 0 K szybko przyrasta, albowiem przebiega wzrost koncentracji nośników przez wzbudzenie cieplne atomów i wytworzenie dziur i elektronów, swobodnych nośników ładunku.
Similar Posts:
Popularity: unranked [?]