Zatem też funkcja rezystywności od temperatury jest przybliżona do funkcji temperaturowej skupienia nośników ładunku. W ogólnym przypadku można wyłonić trzy obszary charakterystyczne zależności konduktywności półprzewodnika od temperatury. Konduktywność półprzewodnika, którego temperatura wznosi się od 0 K szybko wzrasta, albowiem następuje wzrost skupienia nośników przez doprowadzanie cieplne atomów i wytworzenie dziur i elektronów, swobodnych nośników ładunku.

W temperaturze zera zupełnego półprzewodniki są izolatorami, pasmo podstawowe jest absolutnie wypełnione, pasmo przewodnictwa jest gruntownie puste. W temperaturach wyższych noże nadejść szczątkowe wypełnienie elektronami pasma kierownictwa, a w paśmie kluczowym powstaje dopasowana liczba dziur w service manuals. Rezystywność półprzewodników dowodzi charakterystyczną funkcję od temperatury. Wynika ona z różnej funkcji gęstości i mobilności obu typów ładunku od temperatury. Ruchliwość nośników ładunku przekształca się z temperaturą nieczęsto w porównaniu z funkcją ich koncentracji od temperatury.

Kierownictwo w realnym półprzewodniku niesamodzielnym zależy od stosunku koncentracji dziur w paśmie akceptorowym i elektronów w paśmie donorowym w service manuals. Półprzewodnik skompensowany demonstruje najczęściej wielką rezystywność. Olbrzymia rezystywność nie oznacza, więc, że rozpatrywany półprzewodnik jest samoistny, albowiem jej przyczyną może być kompensacja nośników ładunku. Pod oddziaływaniem pola elektrycznego wzbudzonego do półprzewodnika, nieograniczone nośniki ładunku nawiązują ruch w kierunku pola. Prostota tego ruchu określa się jako ruchliwość nośników ładunku. Zależność ruchliwości nośników ładunku od temperatury jest bardzo zróżnicowana. Ledwie w wąskim ograniczeniu temperatury można przyjąć, że jest ona w zbliżeniu proporcjonalna.

W przewodniku niesamodzielnym mogą i zwykle zachodzą równocześnie oba gatunki domieszek, donorowe i akceptorowe. Swobodne elektrony atomów domieszki donorowej są wiązane przez dziury wytworzone przez atomy domieszki akceptorowej. Gdyby liczby atomów donorowych i akceptorowych w półprzewodniku są choćby w zarysach sobie pewne, półprzewodnik ten nie ma niezależnych nośników ładunku i jego kierownictwo jest niewielkie, przybliżone do przewodnictwa samodzielnego, półprzewodnik taki nazywamy skompensowanym w service manuals. Jeśli zaś istnieje pewien nadmiar elektronów lub dziur, transfer ładunków przez półprzewodnik jest realny i mamy do czynienia z tak zwanym półprzewodnikiem nadmiarowym.

Similar Posts:

None Found

Popularity: unranked [?]